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65纳米(mi)/55纳米(mi)

65纳(na)米/55纳(na)米

手艺简介

中芯国际(ji)65纳(na)米(mi)(mi)/55纳(na)米(mi)(mi)逻(luo)辑手(shou)(shou)艺(yi)具(ju)备(bei)高机能,节(jie)能的上(shang)风,能够增添进步前辈手(shou)(shou)艺(yi)本(ben)钱的优化及设(she)想胜利的能够性(xing)。此(ci)(ci)(ci)65纳(na)米(mi)(mi)/55纳(na)米(mi)(mi)手(shou)(shou)艺(yi)的工艺(yi)元(yuan)件(jian)挑选包罗低(di)泄(xie)电(dian)(dian)和(he)(he)超低(di)功(gong)耗(hao)手(shou)(shou)艺(yi)平台。此(ci)(ci)(ci)两(liang)种手(shou)(shou)艺(yi)平台都供(gong)给三种阈(yu)值电(dian)(dian)压(ya)的元(yuan)件(jian)和(he)(he)输入/输入电(dian)(dian)压(ya)为(wei)1.8V,2.5V和(he)(he)3.3V的元(yuan)件(jian),而构(gou)成一个(ge)弹(dan)性(xing)的制程(cheng)设(she)想平台。此(ci)(ci)(ci)手(shou)(shou)艺(yi)的设(she)想法(fa)则、规格及SPICE模子已完整(zheng)。55纳(na)米(mi)(mi)低(di)泄(xie)电(dian)(dian)/超低(di)功(gong)耗(hao)手(shou)(shou)艺(yi)和(he)(he)65纳(na)米(mi)(mi)低(di)泄(xie)电(dian)(dian)手(shou)(shou)艺(yi)首要(yao)的单位库(ku)已完整(zheng)。

特色

 

55/65纳米工艺组件挑选:

规范工艺组(zu)件(jian)挑(tiao)选

55 纳米低泄电(dian)器(qi)件(jian)

65 纳米低泄电器件

焦(jiao)点(dian)器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

输(shu)入输(shu)入器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超载 3.3V

2.5V 低载 1.8V

 

内存

单端高密(mi)度静(jing)态内存(cun)

单端高(gao)机(ji)能(neng)静(jing)态(tai)内(nei)存

双端高密(mi)度静态内存

双端高机能静(jing)态(tai)内(nei)存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

利用产(chan)物(wu)

中芯国际55纳米(mi)逻辑产物首要面向高机(ji)能、低功耗的(de)利(li)用(yong)场景,如挪(nuo)动利(li)用(yong)和无线利(li)用(yong)。

  • 挪动利用

  • 无线(xian)利用

其余(yu)工艺(yi)手艺(yi)

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