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40纳米(mi)

40纳米(mi)

手艺简(jian)介

中(zhong)芯国(guo)际是中(zhong)国(guo)大陆第一(yi)家供给(ji)40纳米手(shou)(shou)艺的(de)晶圆厂。40纳米规范逻辑(ji)制程(cheng)供给(ji)低泄电(dian)(LL)器件(jian)(jian)(jian)平台,焦点组(zu)件(jian)(jian)(jian)电(dian)压(ya)1.1V,涵盖三种差别(bie)阈值电(dian)压(ya),和(he)输入/输入组(zu)件(jian)(jian)(jian) 2.5V电(dian)压(ya)(超(chao)载(zai) 3.3V,低载(zai) 1.8V)以知足差别(bie)的(de)设想(xiang)请求(qiu)。40纳米逻辑(ji)制程(cheng)连(lian)系了进(jin)步前(qian)辈的(de)浸入式光刻(ke)手(shou)(shou)艺,应(ying)力手(shou)(shou)艺,超(chao)浅结手(shou)(shou)艺和(he)低介(jie)电(dian)常(chang)数介(jie)质。

特色

工(gong)艺组件挑选

规(gui)范工艺(yi)组件挑选

40纳米低泄电器件(1.1V)

焦点(dian)器件(jian)

高(gao)阈值电压

规范(fan)阈值电压(ya)

低阈(yu)值电压(ya)

输入输入器件

2.5V

2.5V 超载(zai) 3.3V

2.5V 低载(zai) 1.8V

内存

单端高密度静态(tai)存储器(0.242μ㎡)

单端(duan)高机能静态存储器(0.303μ㎡)

双(shuang)端高(gao)密(mi)度静态存储器(0.477μ㎡)

双端高机能静态存储器(0.600μ㎡)

利用产物

中(zhong)芯国际40纳(na)米规范逻辑制程完(wan)成了(le)高机能和低(di)(di)功(gong)耗的(de)完(wan)善融会,合用(yong)于场景(jing)普遍,如:手机基带及利(li)用(yong)处置(zhi)器,平板电(dian)(dian)脑多媒体利(li)用(yong)处置(zhi)器,数字电(dian)(dian)视,机顶(ding)盒,游戏及其(qi)余无线互联利(li)用(yong),正(zheng)在(zai)研发的(de)可(ke)任务(wu)在(zai)0.9v电(dian)(dian)压下的(de)40纳(na)米超低(di)(di)功(gong)耗产物更是为IoT利(li)用(yong)场景(jing)量身打(da)造。

  • 手机基带
    及利用处置器

  • 平板电脑多媒体
    利用处置器

  • 数字电视

  • 机(ji)顶(ding)盒

  • 游戏及其余
    无线互联利用

其余(yu)工艺手艺

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